2302

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

2302

Hersteller:

Paket:

SOT-23-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Standard
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A (Ta)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)