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2N65G

UMW

Produkt-Nr.:

2N65G

Hersteller:

UMW

Paket:

SOT-223

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series UMW
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr UMW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tj)
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)