2N7002KQBZ

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

2N7002KQBZ

Hersteller:

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DFN1110D-3

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Beschreibung:

2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	28 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.92 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850mOhm @ 720mA, 10V
Supplier Device Package	DFN1110D-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Package / Case	3-XDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	720mA (Ta)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	2N7002