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3400L

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

3400L

Paket:

SOT-23-3L

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Supplier Device Package SOT-23-3L
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series -
Power Dissipation (Max) 1.4W
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A
Vgs (Max) ±12V
Package Tape & Reel (TR)