630A

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

630A

Hersteller:

Paket:

TO-252

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2440

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	509 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	83W
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)