minImg

APT8024B2LLG

Microsemi Corporation

Produkt-Nr.:

APT8024B2LLG

Paket:

T-MAX™ [B2]

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

Menge:

Lieferung:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Zahlung:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

Auf Lager : 5

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

  • 1

    $23.256

    $23.256

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 15.5A, 10V
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Series POWER MOS 7®
Power Dissipation (Max) 565W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Microsemi Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube