BFU768F115

NXP USA Inc.

Produkt-Nr.:

BFU768F115

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4-DFP

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NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM R

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Operating Temperature	150°C (TJ)
Frequency - Transition	-
Current - Collector (Ic) (Max)	70mA
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	2.8V
Supplier Device Package	4-DFP
Series	-
Transistor Type	NPN
Package / Case	SOT-343F
Power - Max	220mW
Mfr	NXP USA Inc.
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.1dB @ 2.4GHz
Package	Bulk
Gain	13.1dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	155 @ 10mA, 2V