BSB044N08NN3GXUMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSB044N08NN3GXUMA1

Hersteller:

Paket:

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 97µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	2.2W (Ta), 78W (Tc)
Package / Case	3-WDSON
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta), 90A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSB044