BSC079N10NSGATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSC079N10NSGATMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TDSON-8-1

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 110µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.4A (Ta), 100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSC079