BSC0802LSATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSC0802LSATMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TDSON-8-7

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Last Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 115µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™ 5
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Ta), 100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSC0802