BSC080P03LSGAUMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSC080P03LSGAUMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TDSON-8-3

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6140 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122.4 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 89W (Tc)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Ta), 30A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSC080