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BSC150N03LD

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSC150N03LD

Paket:

PG-TDSON-8-4

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Series OptiMOS™3
Package / Case 8-PowerVDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 26W
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Package Bulk
Base Product Number BSC150