BSC160N15NS5SCATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSC160N15NS5SCATMA1

Hersteller:

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PG-TDSON-8-7

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Beschreibung:

TRENCH >=100V

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1820 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.1 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 28A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id	4.6V @ 60µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Series	OptiMOS™ 5
Power Dissipation (Max)	96W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	56A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)