BSC16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSC16DN25NS3GATMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TDSON-8-5

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 32µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	62.5W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.9A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSC16DN25