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BSD316SNL6327XT

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSD316SNL6327XT

Paket:

PG-SOT363-PO

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 94 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package PG-SOT363-PO
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 3.7µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)