BSF110N06NT3GXUMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSF110N06NT3GXUMA1

Hersteller:

Paket:

MG-WDSON-2

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 12400

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	MG-WDSON-2
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 33µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	OptiMOS™ 3
Power Dissipation (Max)	38W (Tc)
Package / Case	DirectFET™ Isometric ST
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	47A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk