BSG0811NDATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSG0811NDATMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TISON-8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Configuration	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Series	OptiMOS™
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2.5W
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	19A, 41A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSG0811