BSH205G2AR

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

BSH205G2AR

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TO-236AB

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MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	421 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Supplier Device Package	TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	610mW (Ta), 10W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.6A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSH205