BSM250D17P2E004

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

BSM250D17P2E004

Hersteller:

Paket:

Module

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 66mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700V (1.7kV)
Series	-
Package / Case	Module
Technology	Silicon Carbide (SiC)
Power - Max	1800W (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	250A (Tc)
Package	Box
Base Product Number	BSM250