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BSM25GB120DN2

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSM25GB120DN2

Paket:

Module

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

IGBT MODULE

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature 150°C (TJ)
NTC Thermistor No
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 38 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.65 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Supplier Device Package Module
Series -
Input Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Package / Case Module
Power - Max 200 W
Mfr Infineon Technologies
Current - Collector Cutoff (Max) 800 µA
Package Bulk
IGBT Type -