BSS119N H7796

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BSS119N H7796

Hersteller:

Paket:

PG-SOT23-3-5

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 190mA, 10V
Supplier Device Package	PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 13µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	190mA (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk