BTS244ZE3062AATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

BTS244ZE3062AATMA1

Hersteller:

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PG-TO263-5-2

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 130µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Series	*
Power Dissipation (Max)	170W (Tc)
Package / Case	TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk