BUK6610-75C,118

NXP Semiconductors

Produkt-Nr.:

BUK6610-75C,118

Hersteller:

Paket:

D2PAK

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Datenblatt:

Beschreibung:

NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5251 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	158W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	NXP Semiconductors
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	78A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk