BUK662R5-30C,118

NXP Semiconductors

Produkt-Nr.:

BUK662R5-30C,118

Hersteller:

Paket:

D2PAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

NEXPERIA BUK662R5-30C - 100A, 30

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 927

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	204W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	NXP Semiconductors
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk