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BUK7C06-40AITE,118

NXP USA Inc.

Produkt-Nr.:

BUK7C06-40AITE,118

Hersteller:

NXP USA Inc.

Paket:

D2PAK

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature Current Sensing
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 272W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr NXP USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk