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BUK953R5-60E,127

NXP USA Inc.

Produkt-Nr.:

BUK953R5-60E,127

Hersteller:

NXP USA Inc.

Paket:

TO-220AB

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 5 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 293W (Ta)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr NXP USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Ta)
Vgs (Max) ±10V
Package Tube