CDBJSC10650-G

Comchip Technology

Produkt-Nr.:

CDBJSC10650-G

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Paket:

TO-220F

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Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	710pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-220F
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2 Full Pack
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 10 A
Mfr	Comchip Technology
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	10A
Base Product Number	CDBJSC10650