CRS10I30B(TE85L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

CRS10I30B(TE85L,QM

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S-FLAT (1.6x3.5)

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Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F	50pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Reverse Leakage @ Vr	60 µA @ 30 V
Series	-
Package / Case	SOD-123F
Technology	Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	420 mV @ 1 A
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	150°C
Current - Average Rectified (Io)	1A