CSD17313Q2Q1T

Texas Instruments

Produkt-Nr.:

CSD17313Q2Q1T

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Paket:

6-WSON (2x2)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 4A, 8V
Supplier Device Package	6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	NexFET™
Power Dissipation (Max)	2.4W (Ta), 17W (Tc)
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Texas Instruments
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Vgs (Max)	+10V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	CSD173