CSD25211W1015

Texas Instruments

Produkt-Nr.:

CSD25211W1015

Hersteller:

Paket:

6-DSBGA (1x1.5)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	570 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.1 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package	6-DSBGA (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	NexFET™
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Package / Case	6-UFBGA, DSBGA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Texas Instruments
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
Vgs (Max)	-6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	CSD25211