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CSD88539ND

Texas Instruments

Produkt-Nr.:

CSD88539ND

Hersteller:

Texas Instruments

Paket:

8-SOIC

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Series NexFET™
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 2.1W
Mfr Texas Instruments
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number CSD88539