CUHS10F60,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

CUHS10F60,H3F

Hersteller:

Paket:

US2H

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 24640

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F	130pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	US2H
Current - Reverse Leakage @ Vr	40 µA @ 60 V
Series	-
Package / Case	2-SMD, Flat Lead
Technology	Schottky
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	60 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	150°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)	1A
Base Product Number	CUHS10