DMN1053UCP4-7

Diodes Incorporated

Produkt-Nr.:

DMN1053UCP4-7

Hersteller:

Paket:

X3-DSN0808-4

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	908 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package	X3-DSN0808-4
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.34W
Package / Case	4-XFBGA, CSPBGA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.7A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMN1053