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DMN3010LFG-7

Diodes Incorporated

Produkt-Nr.:

DMN3010LFG-7

Paket:

PowerDI3333-8

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series -
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Package / Case 8-PowerVDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 30A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number DMN3010