DMTH4008LPSQ-13

Diodes Incorporated

Produkt-Nr.:

DMTH4008LPSQ-13

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Paket:

PowerDI5060-8

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V PWRDI5060

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1088 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMTH4008