DMWS120H100SM4

Diodes Incorporated

Produkt-Nr.:

DMWS120H100SM4

Hersteller:

Paket:

TO-247-4

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 4

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1516 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 15 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 20A, 15V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 5mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	208W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Mfr	Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37.2A (Tc)
Vgs (Max)	+19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Package	Tube
Base Product Number	DMWS120