FDB024N04AL7

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDB024N04AL7

Hersteller:

Paket:

TO-263-7

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	109 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package	TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	214W (Tc)
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk