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FDB8442

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDB8442

Paket:

D2PAK (TO-263)

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 254W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta), 80A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk