FDD13AN06A0

onsemi

Produkt-Nr.:

FDD13AN06A0

Hersteller:

Paket:

TO-252AA

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	115W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.9A (Ta), 50A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	FDD13AN06