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FDD6606

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDD6606

Paket:

TO-252, (D-Pak)

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 71W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Ta)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Bulk