FDD6N50TM-WS

onsemi

Produkt-Nr.:

FDD6N50TM-WS

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TO-252AA

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Series	UniFET™
Power Dissipation (Max)	89W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	FDD6N50