FDFME3N311ZT

onsemi

Produkt-Nr.:

FDFME3N311ZT

Hersteller:

Paket:

6-UMLP (1.6x1.6)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 15000

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	75 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Supplier Device Package	6-UMLP (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	600mW (Ta)
Package / Case	6-UFDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
Vgs (Max)	±12V
Package	Bulk