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FDM2509NZ

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDM2509NZ

Paket:

MicroFET 2x2 Thin

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Supplier Device Package MicroFET 2x2 Thin
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series PowerTrench®
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 800mW
Mfr Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A
Package Bulk
Base Product Number FDM2509