FDMA1025P

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDMA1025P

Hersteller:

Paket:

6-MicroFET (2x2)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 P-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Supplier Device Package	6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	PowerTrench®
Package / Case	6-VDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	700mW
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.1A
Package	Bulk
Base Product Number	FDMA1025