FDMC6890NZ

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDMC6890NZ

Hersteller:

Paket:

MicroFET 3x3mm

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 14330

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.4nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package	MicroFET 3x3mm
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	PowerTrench®
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1.92W, 1.78W
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A
Package	Bulk
Base Product Number	FDMC6890