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FDMD8260LET60

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDMD8260LET60

Paket:

12-Power3.3x5

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 12-Power3.3x5
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Series PowerTrench®
Package / Case 12-PowerWDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 1.1W
Mfr Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Package Bulk
Base Product Number FDMD8260