FDP10AN06A0

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDP10AN06A0

Hersteller:

Paket:

TO-220-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 5110

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	135W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta), 75A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tube