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FDP6030BL

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDP6030BL

Paket:

TO-220-3

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Bulk
Base Product Number FDP60