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FDS5692Z

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDS5692Z

Paket:

8-SOIC

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Series UltraFET™
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Ta)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Bulk