FDS6576

onsemi

Produkt-Nr.:

FDS6576

Hersteller:

Paket:

8-SOIC

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 11417

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4044 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 11A, 4.5V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	FDS65